用于測試半導體材料電阻率及方塊電阻 ( 薄層電阻 )、功能材料暗電導和光電導及溫度的變化的特性。

1、本底真空度：≤ 10Pa，真空可控范圍：10 ～ 400Pa；

2、襯底加熱溫度：室溫～ 300℃；

3、測量范圍：電阻率：0.001 ～ 200Ω.cm； 電導率：0.005 ～ 1000 s/cm； 電阻：0.001 ～ 200Ω.cm；可測晶片直徑：200mmX200mm 間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥ 1000MΩ；機械游移率：≤ 0.3%；探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5 ～ 16 牛頓 ( 總力 )；

4、恒流源：電流量程分為 0.1、1、10、100(mA) 四檔，各檔電流連續(xù)可調；誤差 <±0.5%；

5、數(shù)字電壓表：量程：0 ～ 199.99mV；分辨率：10μV；四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；輸入阻抗 >1000MΩ：精度 :±0.1%；

6、指針式高阻計：電阻測量范圍：1×10 6 ～ 1×10 17 Ω；精度：±10%~±20%；

微電流測試：1×10 -5 ～ 1×10 -14 A；額定電壓：10、100、250、500、1000V±5%。